DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

DMN26D0UDJ-7

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

停产/老旧SOT-963模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
基础料号DMN26
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14.1pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C240mA
Power - Max300mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-963
供应商器件封装SOT-963

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)