DMN24H11DS-7

Diodes Incorporated

DMN24H11DS-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 300mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds76.8 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270mA (Ta)
最大功耗750mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101