DMN2450UFD-7

Diodes Incorporated

DMN2450UFD-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

在产3-UDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds52 pF @ 16 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
最大功耗400mW (Ta)

机械

Package / Case3-UDFN
供应商器件封装X1-DFN1212-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)