DMN2114SN-7

Diodes Incorporated

DMN2114SN-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号DMN2114
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SC-59-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)