DMN2100UDM-7

Name: DMN2100UDM-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

在产SOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 6A, 4.5V
基础料号	DMN2100
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	555 pF @ 10 V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta)
最大功耗	1W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)