DMN2080UCB4-7

Diodes Incorporated

DMN2080UCB4-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4

在产4-XFBGA, WLBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗710mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-XFBGA, WLBGA
供应商器件封装X2-WLB0606-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)