DMN2058UW-7

Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds281 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)