DMN2058U-7

Name: DMN2058U-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	281 pF @ 10 V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)
最大功耗	1.13W

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)