DMN2053UW-7

Diodes Incorporated

DMN2053UW-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds369 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大功耗470mW (Ta)

机械

Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)