DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

DMN2044UCB4-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4

在产4-UFBGA, WLBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.3A (Ta)
最大功耗720mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-UFBGA, WLBGA
供应商器件封装U-WLB1010-4

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)