DMN2029UVT-7

Name: DMN2029UVT-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 6.2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	646 pF @ 10 V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.8A (Ta)
最大功耗	700mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)