DMN2024UVT-13

Diodes Incorporated

DMN2024UVT-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号DMN2024
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds647pF @ 10V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta)
Power - Max1W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装TSOT-23-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)