DMN2024UFU-7

Name: DMN2024UFU-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN

在产6-UFDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号	DMN2024
配置	2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	647pF @ 10V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA

漏源电压	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 21A (Tc)
Power - Max	810mW (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)