DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

在产4-VFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 4.5V
基础料号DMN2011
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2248pF @ 10V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.2A (Ta)
Power - Max2.1W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装V-DFN2050-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)