DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

DMN2010UDZ-7

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN

停产/老旧6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 5.5A, 4.5V
基础料号DMN2010
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2665pF @ 10V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装U-DFN2535-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)