DMN2009UCA4-7

Name: DMN2009UCA4-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 20V 10.3A X4-DSN1717-4

在产4-XFBGA, DSBGA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
基础料号	DMN2009
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1780pF @ 10V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 640µA

漏源电压	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.3A (Ta)
Power - Max	900mW

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)