DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

在产6-UFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
基础料号DMN2008
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1418pF @ 10V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250A

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.5A
Power - Max1W

机械

Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
供应商器件封装U-DFN2030-6 (Type B)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)