通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| 基础料号 | DMN2005 |
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 440mA (Ta) |
| 最大功耗 | 450mW (Ta) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 3-UFDFN |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
环境
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
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