DMN2005LP4K-7

Name: DMN2005LP4K-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN

在产3-XFDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 10mA, 4V
基础料号	DMN2005
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	41 pF @ 3 V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 100µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
最大功耗	400mW (Ta)

工作温度	-65°C ~ 150°C (TJ)