DMN2005DLP4K-7

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN

在产6-XFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
基础料号DMN2005
配置2 N-Channel (Dual)
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 100µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Power - Max400mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
供应商器件封装X2-DFN1310-6 (Type B)

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)