DMN2004K-7

Diodes Incorporated

DMN2004K-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
基础料号DMN2004
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 16 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C630mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)