DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6

在产6-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号DMN1003
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3315pF @ 6V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

Power - Max2.67W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, No Lead
供应商器件封装X3-DSN3518-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)