DMG6968UDM-7

Diodes Incorporated

DMG6968UDM-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号DMG6968
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds143pF @ 10V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A
Power - Max850mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)