DMG1029SV-7

Diodes Incorporated

DMG1029SV-7

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7Ohm @ 500mA, 10V
基础料号DMG1029
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V, 25pF @ 25V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA, 360mA
Power - Max450mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)