DMG1023UV-7

Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 430mA, 4.5V
基础料号DMG1023
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds59.76pF @ 16V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.03A
Power - Max530mW

机械

Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)