BS250P

Diodes Incorporated

BS250P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 200mA, 10V
基础料号BS250
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

电气

漏源电压45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)