通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Synchronous, SDR |
| 访问时间 | 6.5 ns |
| 基础料号 | CY7C1463 |
| 制造商 | Cypress Semiconductor Corp |
| Product Status | Active |
| 系列 | NoBL™ |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 36Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 供电电压 | 3.135V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 2M x 18 |
机械
| 封装 | Bulk |
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环境
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|