通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Synchronous, SDR |
| 访问时间 | 3.5 ns |
| 基础料号 | CY7C1356 |
| 制造商 | Cypress Semiconductor Corp |
| Product Status | Active |
| 系列 | NoBL™ |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 9Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 166 MHz |
| 供电电压 | 2.375V ~ 2.625V |
| Memory Organization | 512K x 18 |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|
环境
| 工作温度 | 0°C~70°C(TA) |
|---|