CMS23N06H8-HF

Comchip Technology

CMS23N06H8-HF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A PDF

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3467 pF @ 25 V
制造商Comchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 125A (Tc)
最大功耗86W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)