CMS07P10V8-HF

Comchip Technology

CMS07P10V8-HF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PR-PAK

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 4A, 10V
基础料号CMS07
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 15 V
制造商Comchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta), 7A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PR-PAK (3x3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)