ACMSN2312T-HF

Comchip Technology

ACMSN2312T-HF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5A, 4.5V
基础料号ACMSN2312
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 8 V
制造商Comchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
最大功耗750mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)