CXDM6053N TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CXDM6053N TR PBFREE

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

在产TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 5.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920 pF @ 30 V
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
最大功耗1.2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装SOT-89

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)