CWDM305N TR13 PBFREE

Central Semiconductor Corp

CWDM305N TR13 PBFREE

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 10 V
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)