CP802-CWDM3011P-CT

Name: CP802-CWDM3011P-CT
Brand: Central Semiconductor Corp

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

在产Die模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 8 V
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	Surface Mount
包装	Tray
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)

Package / Case	Die
供应商器件封装	Die

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)