CP647-MJ11015-WR

Central Semiconductor Corp

CP647-MJ11015-WR

Datasheet

模拟与电源

TRANS PNP DARL 120V 30A DIE

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号CP647
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)120 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30A, 5V

机械

封装Tray
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)