CP406-CWDM3011N-CT

Central Semiconductor Corp

CP406-CWDM3011N-CT

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.93A (Ta)
最大功耗1.15W (Ta)

机械

封装Tray
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)