CP373-CMPDM303NH-CT

Central Semiconductor Corp

CP373-CMPDM303NH-CT

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

停产/老旧Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 1.8A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590 pF @ 10 V
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)