CMUDM7005 TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CMUDM7005 TR PBFREE

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523

在产SOT-523模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 600mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 16 V
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C650mA (Ta)
最大功耗300mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
供应商器件封装SOT-523

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)