CDM22012-800LRFP SL

Central Semiconductor Corp

CDM22012-800LRFP SL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

停产/老旧TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1090 pF @ 100 V
制造商Central Semiconductor Corp
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)