3LN01SS-TL-E

Name: 3LN01SS-TL-E
Brand: Catalyst Semiconductor Inc

模拟与电源

N-CHANNEL SILICON MOSFET

在产SC-81模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 80mA, 4V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7000 pF @ 10 V
制造商	Catalyst Semiconductor Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	150mA (Ta)
最大功耗	150mW (Ta)

工作温度	150°C(TJ)