BSS84

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

BSS84

模拟与电源

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 150mA, 10V
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 30 V
制造商ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130mA (Ta)
最大功耗225mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度150°C(TJ)