AS2302

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

AS2302

模拟与电源

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 10 V
制造商ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度150°C(TJ)