AOWF190A60

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOWF190A60

模拟与电源

N

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1935 pF @ 100 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列aMOS5™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗27W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
供应商器件封装TO-262F

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)