AOT66920L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOT66920L

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 50 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列AlphaSGT™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22.5A (Ta), 80A (Tc)
最大功耗8.3W (Ta), 100W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)