AONS1R6A70

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AONS1R6A70

模拟与电源

MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds354 pF @ 100 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列aMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
最大功耗4.1W (Ta), 78W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN-EP (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)