AON2290

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON2290

模拟与电源

MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds415 pF @ 50 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
最大功耗2.8W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-DFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)