AOM033V120X2

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOM033V120X2

模拟与电源

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2908 pF @ 800 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 17.5mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A (Tc)
最大功耗300W (Ta)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4L

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)