AOB190A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB190A60L

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 20A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1935 pF @ 100 V
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗208W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263 (D2Pak)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)