AS4C8M16D1-5BIN

Alliance Memory, Inc

AS4C8M16D1-5BIN

Datasheet

存储器与存储

IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA

在产60-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR
访问时间700 ps
基础料号AS4C8M16
制造商Alliance Memory, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间15ns

电气

存储容量128Mbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率200 MHz
供电电压2.3V ~ 2.7V
Memory Organization8M x 16

机械

封装Tray
Package / Case60-TFBGA
供应商器件封装60-TFBGA (8x13)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)