YJJ09N03A

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJJ09N03A

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1015 pF @ 15 V
ПроизводительYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6L

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)